炣燃科技6月30日讯（江丞华）6月30日消息，三星对外表示，3纳米制程技术已经正式流片。成功流片意味着，三星3纳米芯片的大规模量产或将很快来临。

据报道，不同与台积电的鳍式场效应架构，三星3纳米制程技术采用了全环绕栅极架构。

报道还显示，三星3 纳米制程流片进度是与新思科技合作，加速为GAA 架构的生产流程提供高度优化参考方法。因三星3纳米制程不同于台积电或英特尔的FinFET 架构，而是GAA 架构，三星需要新设计和认证工具，因此采用新思科技的Fusion DesignPlatform。制程技术的物理设计套件（PDK）已在2019年5 月发布，并2020 年通过制程技术认证。预计此流程使三星3 纳米GAA 结构制程技术用于高性能运算（HPC）、5G、行动和高阶人工智能（AI）应用芯片生产。

目前，在全球范围内，只有台积电和三星两家公司拥有5 纳米制程以下的生产能力。

此前，台积电方面曾对外表示，3 纳米制程将于2022 下半年正式量产，而且，今年研发预算的80%都会用于先进制程的产能上。

同时，台积电总裁魏哲家也表示：如今要求与台积电合作3纳米产品的客户越来越多。

公开数据显示，2020年二季度，在全球芯片市场上，台积电的市场占有率为51.5%；三星的市场占有率则为18.8 %。